4大NAND Flash厂50奈米制程寻求突破,国际FLASH供不应求,导致价格猛涨

    4大NAND Flash厂50奈米制程全都原地踏步, 制程瓶颈历时1季未获改善 供不应求恐比预期更严重

全球4大<EM class=degree360 key="A00038">NAND型快闪存储器(Flash)制造厂三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)及IM Flash等，尽管已想尽办法全力解决50奈米世代制程转换不顺、新制程良率偏低问题，但经过逾1季至今仍是原地踏步，良率可说是丝毫未有提升，加上全球NAND Flash市场已进入需求旺季，下游客户端已提出警讯，未来6个月4大厂产能加总，扣除给予苹果(Apple)需求后，几乎可确定NAND Flash市场将出现比预期更严重的供不应求。

近3个月来，包括三星、东芝、海力士及IM Flash等NAND Flash制造厂，均卯足劲设法提升50奈米世代先进程制良率，而存储器业者如此积极抢进新制程技术，最主要原因系看准一波波市场需求成长，为进一步藉由新制程技术提高产能，并增进NAND Flash产品线获利。不过，4大NAND Flash厂却遭遇到50奈米世代制程转换瓶颈，尤其至今已经过逾1季的全力改善，却仍无法将良率有效提升，可说是陷入原地踏步的窘境。

值得注意的是，全球NAND Flash总产出量无法快速拉升，如今又将进入市场需求旺季，尤其苹果iPhone及iPod对于NAND Flash需求与日俱增，以及年底圣诞节采购旺季跟著来到，全球NAND Flash需求在未来几个月内只增不减，供货缺口恐将愈益扩大。

存储器业者便大胆预期，未来几个月全球NAND Flash市场将因4大NAND Flash厂产能无法有效开出，在市场需求却是源源不绝开出情况下，势必将出现比预期还要严重的供不应求，而这亦促使多家市调机构近期纷预测，未来NAND Flash合约价将持续走扬，现货市场亦将因供应量明显萎缩，出现易涨难跌情况。

事实上，过去NAND Flash大厂在新世代制程技术转换时，都会发生整体产能明显下降状况，不过，依照过去业者转换制程经验来看，要将新世代制程良率调到正常水平所需花费时间，顶多是1个多月左右，如今这4大NAND Flash制造厂却已花上逾1季时间，但生产线良率依然处于原地踏步阶段，难怪所有下游NAND Flash卡制造商均感到忧心忡忡，担心未来价格恐将逐步垫高。